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参数资料
| 型号： | DSA9-18F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 119K |
| 描述： | DIODE AVAL 1800V 11A DO-203AA |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1800V（1.8kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 11A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.4V @ 36A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3mA @ 1800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AA，DO-4，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AA |
| 包装： | 散装 |
            ? 2011 IXYS All rights reserved 1 - 2 20110114a DSA 9 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. Symbol Conditions Characteristic Values typ. max. IR VR = V RRM TVJ = T VJM 3 mA VF IF = 36 A TVJ = 25°C 1.4 V VT0 rT For power-loss calculations only TVJ = T VJM 0.85 15 V mW RthJC RthJH DC current 180° sine DC current 2 2.17 3.0 K/W K/W K/W dS dA a Creepage distance on surface Strike distance through air Max. allowable acceleration 2.0 2.0 100 mm mm m/s2 Data according to IEC 60747 VRRM = 1200-1800V IF(RMS)= 18A IFAVM = 11A Avalanche Diode Features ? International standard package JEDEC DO-203 AA ? Planar passivated chips Applications ? Supplies for DC power equipment ? DC supply for PWM inverter ? Field supply for DC motors ? Battery DC power supplies Advantages ? Space and weight savings ? Simple mounting ? Improved temperature & power cycling ? Reduced protection circuits Symbol Conditions Maximum Ratings IFRMS IFAVM TVJ = T VJM TC = 150°C; 180° sine 18 11 A A PRSM TVJM, tp = 10 ms 4.5 kW IFSM TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine 250 265 A TVJ = 150°C; t = 10 ms t = 8.3 ms (60 Hz), sine (50 Hz), sine 200 220 A I2t TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine 310 295 A2s TVJ = 150°C; t = 10 ms t = 8.3 ms (60 Hz), sine (50 Hz), sine 200 190 A2s TVJ TVJM Tstg -40...+180 180 -40...+180 °C °C °C Md mounting torque 2.2...2.8 Nm Weight typical 5 g A C DO-203 AA A = Anode, C = Cathode C A VRSM V V(BR)min V VRRM V Type 1300 1300 1200 DSA 9-12F 1700 1750 1600 DSA 9-16F 1900 1950 1800 DSA 9-18F 7.8 10.3 2.3 0.5 SW 11 19.7 11.5 0.5 10.5 4 2 0.8 max. 2 4.4 2.6 ? 2 M5 4 Dimensions in mm (1 mm = 0.0394") |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA940200L | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA9G01C0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT Bipolar Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSAA1 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
| DSAA3 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
| DSAB1 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
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