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参数资料
| 型号： | DSA9-18F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 119K |
| 描述： | DIODE AVAL 1800V 11A DO-203AA |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1800V（1.8kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 11A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.4V @ 36A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3mA @ 1800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AA，DO-4，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AA |
| 包装： | 散装 |
                            ? 2011 IXYS All rights reserved 2 - 2 20110114a DSA 9 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. 10-3 10-2 10-1 100s 101 0 50 100 150 200 250 300 2 3 4 5 6 7 8 9ms10 1 200 400 600 800A2s 100 1000 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6V 0 10 20 30 40 50 0 5 10 15 20A 0 50 100 150 2000 °C 0 5 10 15 20 25 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 s 104 0 1 2 3 4 5 I2t IFSM A IF A VF t t PF W IF(AV)M Tamb t Zt W 0 50 100 150 200 250°C 0 5 10 15 20 25 IF(AV)M Tcas? A Fi€. 6 T?a?si??t tim???a?c? ?‰?cti?? t? Fi€. 1 F???a?? c Fi€. 2 S‰?€? ????…?a? c‰????t IFSM‘ c??st ?a…‰?’ t‘ ?‰?ati?? Fi€. 3 I2t ???s‰s tim? (1-10 ms) “t ”?? ?a?i?‰s c???‰cti?? a?€…?s ?‘ ? “t (W) ?C 3.0 180° 3.35 120° 3.56 60° 4.0 30° 4.64 C??sta?ts ”?? Zt ca…c‰…ati??‘ i “ti ( t i (s) 1 0.095 0.00032 2 0.515 0.0102 3 1.39 0.360 4 1.0 2.30 Fi€. 4 P???? ?issi?ati?? ???s‰s ”???a?? c‰????t a?? ambi??t t?m???at‰?? Fi€. 5 Ma–. ”???a?? c‰????t at cas? t?m???at‰?? t—?. …im. TV? 180°C TV? 25°C 50?’ 80?V““M TV? 45°C TV? 180°C V“ ? 0 V TV?45°C TV?180°C ?C ? ? 180° si? ? ? 120° ? ? 60° ? ? 30° 30° 60° 120° 180° ?C “tA ‘ 8.3 13 (C?80–80) 18 ?C 180° si? 120° 60° 30° |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DSA9G01C0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT Bipolar Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSAA1 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
| DSAA3 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
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