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参数资料
| 型号： | DSA90C200HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 139K |
| 描述： | DIODE SCHTTKY 200V 2X45A TO247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 960mV @ 45A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 900µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 45A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DSA90C200HB
V = VR
200
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
0.96
RthJC
0.55 K/W
min.
45
VRSM
V
900
T = 25°CVJ
T = °CVJ
125
mA
5
V = VR
200
T = 25°CVJ
I = AF
45
V
T = °CC
145
Ptot
275
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
1.18
T = 25°CVJ
VF0
V
0.52
T = °CVJ
175
rF
6.5
m?
V
0.86
T = °CVJ
125
I = AF
45
V
1.14
I = AF
90
I = AF
90
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
200
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
261
junction capacitance
V = VR
24 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
820
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Schottky
200
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031d
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DSA9-16F | 功能描述:整流器 1600V 11A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSA9-18F | 功能描述:整流器 9 Amps 1800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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