参数资料
型号: DSEC16-12A
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 38K
描述: DIODE UFAST 1200V 10A TO-220AB
标准包装: 50
系列: HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.94V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 60µA @ 1200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
反向恢复时间(trr): 40ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
? 1999 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEC 16-12A
0 400 800200 600 1000A/μs
A/μs
90
100
110
120
130
140
150
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1s
t
0.001
0.01
0.1
1
10
0 40 80 120 160°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Kf
TVJ
-diF/dt
K/W
0 200 400 600 800 1000
0
40
80
120
0.0
0.4
0.8
1.2
VFR
diF/dt
V
μs
0 400 800200 600 1000A/μs
0
10
20
30
40
TVJ= 100°C
VR = 600V
100 1000A/
0
500
1000
1500
2000
TVJ= 100°C
VR = 600V
01234V
0
5
10
15
F
20
25
30
IRM
Qr
I
A
VF
-diF/dt
-diF/dt
A
nC
trr
ns
tfr
ZthJC
μs
DSEP 8-12A / DSEC 16-12A
IF= 20A
IF= 10A
IF= 5A
TVJ= 100°C
VR = 600V
TVJ= 100°C
IF
= 10A
Fig. 3 Peak reverse current I
versus -di
RM
F/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
versus -di
r
F/dt
Fig. 1 Forward current IF
versus V
F
IF= 20A
IF= 10A
IF= 5A
Qr
IRM
Fig. 4 Dynamic parameters Qr, I
versus T
RM
VJ
Fig. 5 Recovery time trr
versus -di
F/dt Fig. 6 Peak forward voltage VFR
and t
versus di
fr
F/dt
IF= 20A
IF= 10A
IF= 5A
tfr
VFR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
Constants for ZthJC
calculation:
iRthi
(K/W) t
i
(s)
1 1.449 0.0052
2 0.558 0.0003
3 0.493 0.017
TVJ= 25°C
TVJ=100°C
TVJ=150°C
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