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参数资料
| 型号： | DSEI12-12A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 204K |
| 描述： | DIODE FRED 1200V 11A TO-220AC |
| 产品目录绘图： | TO-220AC Package |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 11A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.6V @ 12A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 70ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
          ? 2004 IXYS All rights reserved 2 - 3 2007 004 DSEI 12-12A IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. 100 300 0 200 400 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.001 0.01 0.1 1 10 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 40 80 120 160 0.2 0.4 I 0.6 RM 0.8 1.0 1.2 1.4 K f TVJ [°C] -diF/dt [A/μs] t [s] 0 100 200 300 400 0 10 VFR 20 30 40 50 60 0 200 400 600 800 1000 1200 V FR [V] diF/dt [A/μs] 100 300 0 200 400 5 15 25 0 10 20 30 1 10 100 1000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 1 2 3 VF [V] 0 10 20 30 I RM [A] Q r [μC] I F [A] -diF/dt [A/μs] t rr [ns] t fr [μs] Z thJC [k/W] DSEI 12-10A -diF/dt [A/μs] TVJ = 150°C 100°C 25°C typ. max typ. max Qr typ. max tfr TVJ = 100°C VR = 540 V TVJ = 100°C VR = 540 V IF = 11 A 22 A 11 A 5.5 A TVJ = 100°C VR = 540 V IF = 11 A 22 A 11 A 5.5 A IF = 11 A 22 A 11 A 5.5 A TVJ = 125°C IF = 11 A Fig. Forward current versus voltage drop Fig. 2 Recovery charge versus -diF /dt Fig. 3 Peak reverse current versus -diF /dt Fig. 4 Dynamic parameters versus junction temperature Fig. 5 Recovery time versus -diF /dt Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case Fig. 6 Peak forward voltage versus diF /dt |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEI19-06AS | DIODE FRED 600V 20A TO-263AB |
| DSEI20-12A | DIODE FRED 1200V 17A TO-220AC |
| DSEI30-06A | DIODE FRED 600V 37A TO-247AD |
| DSEI30-10AR | DIODE FRED 1000V 30A ISOPLUS247 |
| DSEI30-12A | DIODE FRED 1200V 26A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEI12-12A | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DIODE FAST RECOVERY 11A |
| DSEI19-06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| DSEI19-06AS | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 19 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSEI19-06AS-TUB | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Fast Recovery Exitaxil Diode FRED RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| DSEI20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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