参数资料
型号: DSEI2X30-10B
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: DIODE ULT FAST 1KV 30A SOT-227B
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.4V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 750µA @ 1000V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DSEI 2x 30, 1000 V
DSEI 2x 31, 1000 V
Fig. 1 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 4 Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 2 Recovery charge versus -di F /dt.
Fig. 5 Recovery time versus -di F /dt.
Fig. 3 Peak reverse current versus
-di F /dt.
Fig. 6 Peak forward voltage
versus di F /dt.
Dimensions
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
miniBLOC SOT-227 B
Q
R
26.54
3.94
26.90
4.42
1.045
0.155
1.059
0.174
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case.
M4 screws (4x) supplied
S
T
U
V
W
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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DSEI2x30-12B 功能描述:整流器 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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DSEI2X31 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2x31-04C 功能描述:整流器 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel