参数资料
型号: DSEP12-12B
厂商: IXYS
文件页数: 2/5页
文件大小: 115K
描述: DIODE HFRED 1200V 15A TO-220AC
标准包装: 50
系列: HiPerFRED™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 15A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 3.25V @ 15A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 1200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
DSEP12-12B
ns
14
A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
23
70
300
ns
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;15
VR
=V800
T=125°CVJ
-diF/dt
=A/μs500
trr
TVJ
=°C25
T=125°CVJ
V = VR
1200
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
3.25
RthJC
1.6 K/W
min.
12
VRSM
V
100
T = 25°CVJ
T = °CVJ
150
mA
0.5
V = VR
1200
T = 25°CVJ
I = AF
15
V
T = °CC
130
Ptot
95
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
0.50
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
3.96
T = 25°CVJ
VF0
V
1.00
T = °CVJ
175
rF
55
m?
V
2.06
T = °CVJ
150
I = AF
15
V
2.89
I = AF
30
I = AF
30
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
1200
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
5
junction capacitance
V = VR
600 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
90
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Fast Diode
1200
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131029c
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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