参数资料
型号: DSEP12-12B
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 115K
描述: DIODE HFRED 1200V 15A TO-220AC
标准包装: 50
系列: HiPerFRED™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 15A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 3.25V @ 15A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 1200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
DSEP12-12B
250 500 750 1000 1250 1500
0
100
[ns]
200
300
400
500
IF
=30A
1 10 100 1000 10000
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
t[ms]
0 200 400 600 800 1000 1200
0
20
VFR
[V]
40
60
80
100
0
100
200
300tf
[ns]
400
500
VFR
250 500 750 1000 1250 1500
0
10
20
30
40
50
60
250 500 750 1000 1250 1500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
01234
0
5
10
[A]
15
F
20
25
30
35
40
IRM
[A]
QR
[μC]
I
VF
[V]
trr
ZthJC
[K/W]
-diF/dt [A/ms]
250 500 750 1000 1250 1500
0
400
800
1200
1600
2000
0 40 80 120 160
0.0
0.4
KF
0.8
1.2
1.6
TVJ
[°C]
-diF/dt [A/ms]
-diF/d
-diF/dt [A/ms]
t
[A/ms]
Erec
[μJ]
-diF/dt [A/ms]
tfr
15 A
7.5 A
15 A
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qr
versus -diF
/dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. recovery time
trr
versus -diF
/dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Qrr
IRM
TVJ
=25°C
100°C
150°C
T
= 125°CVJ
VR
=800V
IF
=30A
15 A
7.5 A
T
= 125°CVJ
VR
=800V
IF
=30A
7.5 A
T
= 125°CVJ
VR
=800V
T
= 125°CVJ
IF
=15A
VR
=800V
15 A
7.5 A
IF
=30A
T
=125°CVJ
VR
= 800 V
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131029c
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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PDF描述
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