- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录131 > DSEP60-12A (IXYS)DIODE 1200V 60A TO247AD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DSEP60-12A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 36K |
| 描述： | DIODE 1200V 60A TO247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247(AD) 2-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 60A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.66V @ 60A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 40ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 650µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q1126779A |
                ? 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2 HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery Features International standard package Planar passivated chips Very short recovery time Extremely low switching losses Low IRM-values Soft recovery behaviour Epoxy meets UL 94V-0 Applications Antiparallel diode for high frequency switching devices Antisaturation diode Snubber diode Free wheeling diode in converters and motor control circuits Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) Inductive heating Uninterruptible power supplies (UPS) Ultrasonic cleaners and welders Advantages Avalanche voltage rated for reliable operation Soft reverse recovery for low EMI/RFI Low IRM reduces: - Power dissipation within the diode - Turn-on loss in the commutating switch Dimensions see outlines.pdf A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode TO-247 AD C A C (TAB) C A Pulse test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 % Pulse Width = 300 s, Duty Cycle < 2.0 % Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. IFAV VRRM = 1200 V trr = 40 ns = 60 A DSEP 60-12A VRSM VRRM Type V V 1200 1200 DSEP 60-12A Symbol Conditions Maximum Ratings IFRMS IFAVM 70 A TC = 90°C; rectangular, d = 0.5 60 A IFSM TVJ = 45°C; t p = 10 ms (50 Hz), sine 500 A EAS TVJ = 25°C; non-repetitive 23 mJ IAS = 14.5 A; L = 180 μH IAR VA = 1.25 ·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive 1.5 A TVJ TVJM Tstg -55...+175 °C 175 °C -55...+150 °C Ptot TC = 25°C 230 W Md mounting torque 0.8...1.2 Nm Weight typical 6 g Symbol Conditions Characteristic Values typ. max. IR TVJ = 25°C V R = VRRM TVJ = 150°C V R = VRRM 650 A 2.5 mA VF IF = 60 A; T VJ = 150°C 1.74 V TVJ = 25°C 2.66 V RthJC RthCH 0.65 K/W 0.25 K/W trr IF = 1 A; -di/dt = 300 A/ s; 40 ns VR = 30 V; T VJ = 25°C IRM VR = 100 V; I F = 130 A; -di F/dt = 100 A/s 7 14.3 A TVJ = 100°C 008 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEP8-06A | DIODE FRED 600V 10A TO-220AC |
| DSEP8-06B | DIODE FRED 600V 10A TO-220AC |
| DSEP8-12A | DIODE 1200V 10A TO220AC |
| DSEP9-06CR | DIODE FRED 600V 9A ISOPLUS-247 |
| DSI30-12AC | DIODE RECT 1200V 30A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEP60-12AR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSEP6-06AS | 功能描述:整流器 6 Amps 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEP6-06BS | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 6 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSEP75-06AR | 功能描述:DIODE FRED 600V 75A ISOPLUS247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:HiPerFRED™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| DSEP8-02A | 功能描述:整流器 8 Amps 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。