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参数资料
| 型号： | DSI45-12A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 描述： | DIODE SGL 1200V 45A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 45A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.28V @ 45A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 20µA @ 1200V |
| 电容@ Vr, F： | 18pF @ 400V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
    DSI45-12A 0.001 0.01 0.1 1 200 240 280 320 360 400 2345678901 1 0 200 400 600 800 1000 1200 VR = 0 V 0.5 1.0 1.5 0 10 20 [A] 30 40 50 60 70 80 0 1020304050 0 50 100 150 200 0 20 40 60 80 1 10 100 1000 10000 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 I2t [A2s] IFSM [A] IF VF [ t [s] V] Ptot [W] IdAVM [A] Tamb [°C] t[ms] Zth [K/W] 0 50 100 150 200 0 20 40 60 80 TC [°C] 50 Hz, 80% VRRM TVJ = 45°C TVJ = 45°C TVJ = 150°C TVJ = 150°C t[ms] IdAVM [A] Fig. 1 Forward current versus voltage drop per diode Fig. 2 Surge overload current Fig. 3 I2t versus time per diode Fig. 4 Power dissipation vs. direct output current & ambient temperature Fig. 5 Max. forward current vs. case temperature Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case TVJ = 150°C 125°C 25°C DC = 1 0.5 0.4 0.33 0.17 0.08 RthJA: 0.6 KW 0.8 KW 1 KW 2 KW 4 KW 8 KW DC = 1 0.5 0.4 0.33 0.17 0.08 i 1 2 3 4 Ri 0.033 0.095 0.164 0.258 ti 0.0006 0.0039 0.033 0.272 Rectifier IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20130215d Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DSI75-12B | 功能描述:整流器 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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