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参数资料
| 型号： | DSM10G-TR-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 78K |
| 描述： | DIODE POWER 600V 1A SMD |
| 标准包装： | 1,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，J 形引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      DSM10G Rev.0 I Page 1 of 3 I www.onsemi.comwww.onsemi.com Features ? Facilitates automatic mounting and miniaturization in end products. ? Peak reverse voltage : VRM=600V. ? Average output current : IO=1.0A. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 °C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Peak Reverse Voltage VRM 600 V Average Output Current IO 50Hz sine wave, mounted on an alumina board 1.0 A Load resistor, mounted on a PCB 0.75 A Surge Forward Current IFSM 50Hz sine wave, non-repetitive, 1 cycle peak value 25 A Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C Electrical Characteristics at Ta=25°C Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Forward Voltage VF IF=1A 1.1 V Reverse Current IR VR=VRM 10 μA θj-l Junction-Lead 23 °C/W Thermal Resistance θj-a Junction-Ambient Mounted on an alumina board 108 °C/W Mounted on a PCB 157 °C/W Ordering number : EN2794C DSM10G Diffused Junction Silicon Diode 1.0A Power Rectifier ? 2011, SCILLC. All rights reserved. Jan-2011, Rev. 0 Publication Order Number: DSM10G/D |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DSM10P120-R5-P2EFN | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZM3,100W,HPS,120V,FUSE,NEMA,UNPK |
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