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参数资料
| 型号： | DSM10G-TR-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 78K |
| 描述： | DIODE POWER 600V 1A SMD |
| 标准包装： | 1,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，J 形引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      DSM10G Rev.0 I Page 2 of 3 I www.onsemi.com Package Dimensions unit : mm (typ) 1188 Surge Foward Current, I FSM -- A 1.0 102537 2537 Number of Cycles at 50Hz, n IFSM -- n 020406080100 120 140 160 0 0.2 0.4 0.6 1.0 0.8 1.4 1.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0 5 10 20 15 25 35 30 Ambient Temperature, Ta -- °C -- V IO -- Ta F Av erage Output Current, I O -- A 0.1 1.0 10 5 7 2 3 5 7 2 3 Forward Voltage, V IF -- V F F orward Current, I F -- A ID01204 ID01205 ID01206 100 Resistive, inductive load Capacitive load Mounted on an almina board Mounted on a PCB T a=150 ° C 25 ° C 50Hz 0.1 Cathode mark 5.0 1.2 1.2 2.0 0.9 0.2 1.5 2.5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DSM10P120-R5-C2EFN | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZM3,100W,HPS,120V,FUSE,NEMA |
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| DSM10P120-R5-P2EFN | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZM3,100W,HPS,120V,FUSE,NEMA,UNPK |
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