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参数资料
| 型号： | DSPIC30F5016T-20E/PT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 48/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 66K 80TQFP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 1,200 |
| 系列： | dsPIC™ 30F |
| 核心处理器： | dsPIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 20 MIPS |
| 连通性： | CAN，I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 高级欠压探测/复位，电机控制 PWM，QEI，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 68 |
| 程序存储器容量： | 66KB（22K x 24） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 80-TQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | AC164320-ND - MODULE SKT MPLAB PM3 80TQFP AC30F007-ND - MODULE SKT FOR DSPIC30F 80TQFP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页当前第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页
dsPIC30F Flash Programming Specification
DS70102K-page 52
2010 Microchip Technology Inc.
11.12 Reading Data Memory
The procedure for reading data memory is similar to
that of reading code memory, except that 16-bit data
words are read instead of 24-bit words. Since less data
is read in each operation, only working registers
W0:W3 are used as temporary holding registers for the
data to be read.
Table 11-12 shows the ICSP programming details for
reading data memory. Note that the TBLPAG register is
hard-coded to 0x7F (the upper byte address of all
locations of data memory).
TABLE 11-12: SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR READING DATA MEMORY
Command
(Binary)
Data
(Hexadecimal)
Description
Step 1: Exit the Reset vector.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 2: Initialize TBLPAG and the read pointer (W6) for TBLRD instruction.
0000
2007F0
880190
2xxxx6
MOV
#0x7F, W0
MOV
W0, TBLPAG
MOV
#<SourceAddress15:0>, W6
Step 3: Initialize the write pointer (W7) and store the next four locations of code memory to W0:W5.
0000
EB0380
000000
BA1BB6
000000
BA1BB6
000000
BA1BB6
000000
BA1BB6
000000
CLR
W7
NOP
TBLRDL [W6++], [W7++]
NOP
TBLRDL [W6++], [W7++]
NOP
TBLRDL [W6++], [W7++]
NOP
TBLRDL [W6++], [W7++]
NOP
Step 4: Output W0:W5 using the VISI register and REGOUT command.
0000
0001
0000
0001
0000
0001
0000
0001
0000
883C20
000000
<VISI>
000000
883C21
000000
<VISI>
000000
883C22
000000
<VISI>
000000
883C23
000000
<VISI>
000000
MOV
W0, VISI
NOP
Clock out contents of VISI register
NOP
MOV
W1, VISI
NOP
Clock out contents of VISI register
NOP
MOV
W2, VISI
NOP
Clock out contents of VISI register
NOP
MOV
W3, VISI
NOP
Clock out contents of VISI register
NOP
Step 5: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 6: Repeat steps 3-5 until all desired data memory is read.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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