参数资料
型号: DSS2X81-0045B
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT-227B
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 660mV @ 80A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 60mA @ 45V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 80A
电压 - (Vr)(最大): 45V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DSS2x81-0045B
100
10000
1000 T VJ =150°C
125°C
10000
I F
10
I R
100
100°C
C T
1000
[A]
T VJ =
150°C
125°C
[mA]
10
75°C
[pF]
25°C
1 50°C
1
0.1
25°C
100
T VJ = 25°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
120
V F [V]
Fig. 1 Maximum forward voltage
drop characteristics
80
V R [V]
Fig. 2 Typ. reverse current
I R vs. reverse voltage V R
V R [V]
Fig. 3 Typ. junction capacitance
C T vs. reverse voltage V R
70
100
60
80
I F(AV)
60
[A]
40
d = 0.5
DC
50
P (AV)
40
[W] 30
d=
DC
0.5
0.33
0.25
20
0.17
20
10
0.08
0
0
40
80
120
160
0
0
20
40
60
80
100
1
T C [°C]
Fig. 4 Average forward current
I F(AV) vs. case temp. T C
D=0.5
I F(AV) [A]
Fig. 5 Forward power loss
characteristics
Z thJC
[K/W]
0.33
0.25
0.17
0.1
0.08
Single Pulse
0.05
DSS2x81-0045B
Note: All curves are per diode
0.001
0.01
0.1
1
10
t [s]
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110603a
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