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参数资料
| 型号： | DSS40-0008D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 44K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 8V 40A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 8V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 40A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 340mV @ 40A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200mA @ 8V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
                     ? 2004 IXYS All rights reserved 2 - 2 432 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. DSS 40-0008D 0.010.00.20.40.6V 10 100 0246810V 0.1 1 100°C 10 TVJ = 150°C 100 0 102030405060A 0 5 10 15 20 25 0.001 0.01 0.1 1 10s Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles Note: All curves are per diodet 0.1 0.08 1 04080120160C 0 10 20 30 40 50 I 60 F(AV) 70 80 TC IF(AV) K/W IFSM tP A 0246810V 10000 CT IR IF A VF VR VR pF A P(AV) W ZthJC DSSK 80-0008D A μs TVJ = 150°C 125°C 25°C DC Single Pulse TVJ= 25°C 3000 50°C 75°C 125°C 25°C d = 0.5 d = DC 0.5 0.33 0.25 0.17 0.08 D = 0.5 0.17 0.25 0.33 5000 Fig. 3 Typ. junction capacitance C versus reverse voltage V T R Fig. 2 Typ. value of reverse current I versus reverse voltage V R R Fig. 1 Maximum forward voltage drop characteristics Fig. 4 Average forward current IF(AV) versus case temperature TC Fig. 5 Forward power loss characteristics |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| DSS60-0045B | DIODE SCHOTTKY TO-45V 60A 247AD |
| EGF1D | DIODE FAST GPP 1A 200V SMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSS-401LA00B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:DIA SURGE SUPPRESSOR (DSS) |
| DSS-401LA00F | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:DIA SURGE SUPPRESSOR (DSS) |
| DSS-401LA00R | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:DIA SURGE SUPPRESSOR (DSS) |
| DSS-401LA04B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:DIA SURGE SUPPRESSOR (DSS) |
| DSS-401LA04F | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:DIA SURGE SUPPRESSOR (DSS) |
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