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参数资料
| 型号： | DTC123EE |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| 中文描述： | 数字晶体管（内置电阻） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | DTC123EE |
403
Transistors
DTC123EE/DTC123EUA/DTC123EKA/DTC123ESA
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTC123EKA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTC123ESA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTC123JSA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTC123JUA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTC123YSA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DTC123EE_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
| DTC123EEATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DTC123EET1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTC123EET1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTC123EETL | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-416 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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