分离式半导体产品 SI1405DL-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI1405DL-T1-GE3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SI1405DL-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V SC-70-6 |
0 |
3,000:$0.24650
|
| SI5445BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.24360
|
| SI7392ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
|
| SI7370ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
|
| SI5404BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.23490
|
SI1405DL-T1-GE3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| FET 型: |
MOSFET P 通道，金属氧化物
|
| FET 特点: |
逻辑电平门
|
| 漏极至源极电压(Vdss): |
8V
|
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
1.6A
|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
125 毫欧 @ 1.8A，4.5V
|
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
450mV @ 250µA
|
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
7nC @ 4.5V
|
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
-
|
| 功率 - 最大: |
568mW
|
| 安装类型: |
表面贴装
|
| 封装/外壳: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
|
| 供应商设备封装: |
SC-70-6
|
| 包装: |
带卷 (TR)
|