| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 0 | 3,000:$0.23490 |
| SI7491DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11A PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.93690 |
| SI4438DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.93690 |
| SI6413DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP | 0 | 3,000:$0.93150 |
| SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | 0 | 1:$2.38000 25:$1.83600 100:$1.66600 250:$1.49600 500:$1.29200 1,000:$1.08800 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 33 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 750mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装: | 带卷 (TR) |