元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SI4438DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.93690 |
SI6413DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP | 0 | 3,000:$0.93150 |
SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | 0 | 1:$2.38000 25:$1.83600 100:$1.66600 250:$1.49600 500:$1.29200 1,000:$1.08800 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 36A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.7 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.6V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 126nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4645pF @ 15V |
功率 - 最大: | 7.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 带卷 (TR) |