分离式半导体产品 SUM60N02-3M9P-E3品牌、价格、PDF参数
SUM60N02-3M9P-E3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SUM60N02-3M9P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
0 |
800:$1.52550
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| SUD25N15-52-T4-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 150V TO252 |
0 |
2,000:$1.52019
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| SI4448DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.51620
|
| SIE816DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE808DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE806DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SUM60N02-3M9P-E3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
20V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
60A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.9 毫欧 @ 20A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
50nC @ 4.5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
5950pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
3.75W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
TO-263（D2Pak）
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| 包装: |
带卷 (TR)
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