| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FDT86256 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 | 7,830 | 1:$1.08000 10:$0.95700 25:$0.86400 100:$0.75600 250:$0.66300 500:$0.58800 1,000:$0.46500 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 845 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 73pF @ 75V |
| 功率 - 最大: | 2.3W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装: | SOT-223-4 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |