| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R5-30YLC,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 1,060 | 1:$1.31000 10:$1.15600 25:$1.04360 100:$0.91300 250:$0.80068 500:$0.71010 |
| PSMN130-200D,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 | 5,000 | 2,500:$0.88500 |
| PSMN015-100B,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 75A SOT404 | 8,000 | 800:$0.91008 1,600:$0.84960 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.55 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.95V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4044pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 179W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 供应商设备封装: | LFPAK，Power-SO8 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |