| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BST82,235 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | 0 | 20,000:$0.08900 |
| BST82,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | 9,000 | 3,000:$0.10400 6,000:$0.09800 15,000:$0.08900 30,000:$0.08300 75,000:$0.07500 150,000:$0.07200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 190mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 10 欧姆 @ 150mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 830mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | TO-236AB |
| 包装: | 带卷 (TR) |