元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IPP65R310CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | 482 | 1:$4.18000 10:$3.73600 25:$3.36200 100:$3.06330 250:$2.76444 500:$2.48054 1,000:$2.09202 2,500:$1.98742 5,000:$1.90523 |
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,552 | 1:$8.18000 10:$7.41200 25:$6.79440 100:$6.17660 250:$5.55896 500:$5.09570 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 11.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 310 毫欧 @ 4.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4.5V @ 440µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
功率 - 最大: | 104.2W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
供应商设备封装: | PG-TO220-3 |
包装: | 管件 |