元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,552 | 1:$8.18000 10:$7.41200 25:$6.79440 100:$6.17660 250:$5.55896 500:$5.09570 |
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,000 | 1,000:$4.16921 2,000:$4.01479 5,000:$3.86038 10,000:$3.78317 25,000:$3.70596 |
IPB65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 | 1,585 | 1:$3.39000 10:$2.90200 25:$2.61160 100:$2.36960 250:$2.12784 500:$1.83768 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 31.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫欧 @ 12.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4.5V @ 1.3mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
功率 - 最大: | 277.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | PG-TO263 |
包装: | 剪切带 (CT) |