元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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STB34NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 0 | 1,000:$4.79250 2,000:$4.61500 5,000:$4.43750 10,000:$4.36650 25,000:$4.26000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 29A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫欧 @ 14.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 80.4nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2785pF @ 50V |
功率 - 最大: | 190W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | D²PAK |
包装: | 带卷 (TR) |