| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPI530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 53 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 35µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 887pF @ 75V |
| 功率 - 最大: | 68W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装: | PG-TO262-3 |
| 包装: | 管件 |