半导体模块 APTGT200H120G品牌、价格、PDF参数
APTGT200H120G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| APTGT200H120G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 |
0 |
10:$248.18400
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| APTGT400A120D3G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 |
0 |
10:$261.86500
|
| APTGT150H170G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 |
0 |
10:$262.48800
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APTGT200H120G • PDF参数
| 类别: |
半导体模块
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| IGBT 类型: |
沟道和场截止
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| 配置: |
全桥反相器
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| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
1200V
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| Vge, Ic时的最大Vce（开）: |
2.1V @ 15V，200A
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| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
280A
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
350µA
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| Vce 时的输入电容 (Cies): |
14nF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
890W
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| 输入: |
标准
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| NTC 热敏电阻: |
无
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| 安装类型: |
底座安装
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| 封装/外壳: |
SP6
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| 供应商设备封装: |
SP6
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