| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI7997DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | 0 | 3,000:$0.95850 6,000:$0.92300 15,000:$0.88750 30,000:$0.86975 75,000:$0.85200 |
| SI7905DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 | 0 | 3,000:$0.90450 |
| SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.90450 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6200pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 46W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装: | 带卷 (TR) |