分离式半导体产品 SI9936BDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI9936BDY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC 0 2,500:$0.28710
SI9936BDY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)