元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | 14,229 | 1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800 |
SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | 14,229 | 1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 37 毫欧 @ 7.4A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 24nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | 1.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? 1212-8 双 |
供应商设备封装: | PowerPAK? 1212-8 Dual |
包装: | 剪切带 (CT) |