分离式半导体产品 SI7913DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7913DN-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 37 毫欧 @ 7.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装: PowerPAK? 1212-8 Dual
包装: 剪切带 (CT)