| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SH8M4TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9A，7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1190pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | Digi-Reel® |