AOD480厂商、描述、价格、参数资料

型号
AOD480
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
价格(5000)
¥0.9424
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
820pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
AOD480相关电子产品资料
型号
数量
510
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
820pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
820pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
820pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
57768
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 100V 32A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta),32A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2000pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
57500
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 100V 32A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta),32A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2000pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
57768
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 100V 32A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta),32A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2000pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
10357
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1220pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
10000
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1220pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
10357
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1220pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1920pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称