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IC/电子元器件

AOD496厂商、描述、价格、参数资料

型号
AOD496
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
62A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1200pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
其它名称
AOD496相关电子产品资料
型号
AOD496
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
62A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1200pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
其它名称
型号
AOD496
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
62A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1200pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500
其它名称
型号
AOD496
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
62A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1200pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
其它名称
型号
AOD496A
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 11A TO252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Ta），57A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
770pF @ 15V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500
型号
AOD498
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A（Ta），11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
140 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
415pF @ 50V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500
型号
AOD4C60
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
950 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
910pF @ 100V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-50°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500
型号
AOD4N60
数量
85
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
其它名称
型号
AOD4N60
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500
其它名称
型号
AOD4N60
数量
85
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
其它名称
型号
AOD4N60_001
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1
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