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IC/电子元器件

IRF840SPBF厂商、描述、价格、参数资料

型号
IRF840SPBF
数量
1389
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
价格(1)
¥9.9160
价格(10)
¥8.9311
价格(25)
¥8.4259
价格(100)
¥7.1784
价格(250)
¥6.7402
价格(500)
¥5.8977
价格(1000)
¥4.8866
价格(2500)
¥4.5496
价格(5000)
¥4.3811
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
IRF840SPBF相关电子产品资料
型号
IRF840SPBF
数量
1389
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
IRF840STRL
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840STRLPBF
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840STRLPBF
数量
800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
IRF840STRLPBF
数量
800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
IRF840STRLPBF
数量
800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
标准包装
800
其它名称
型号
IRF840STRR
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840STRRPBF
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF8513PBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A，11A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
766pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W，2.4W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
95
其它名称
型号
IRF8513TRPBF
数量
27800
厂商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
系列
HEXFET®
包装
剪切带（CT）
零件状态
上次购买时间
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A，11A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
766pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W，2.4W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1
其它名称
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