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IC/电子元器件

NDD03N60Z-1G厂商、描述、价格、参数资料

型号
NDD03N60Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
312pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
其它名称
NDD03N60Z-1G相关电子产品资料
型号
NDD03N60Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
312pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
其它名称
型号
NDD03N60ZT4G
数量
4235
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V DPAK
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
312pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
1
其它名称
型号
NDD03N60ZT4G
数量
4235
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V DPAK
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
312pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
1
其它名称
型号
NDD03N60ZT4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V DPAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
312pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
2,500
其它名称
型号
NDD03N80Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 25V
功率 - 最大值
96W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
型号
NDD03N80ZT4G
数量
2445
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 25V
功率 - 最大值
96W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
1
其它名称
型号
NDD03N80ZT4G
数量
2445
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 25V
功率 - 最大值
96W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
1
其它名称
型号
NDD03N80ZT4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 25V
功率 - 最大值
96W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
2,500
其它名称
型号
NDD04N50Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
308pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
其它名称
型号
NDD04N50ZT4G
数量
5194
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
308pF @ 25V
功率 - 最大值
61W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
1
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