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IC/电子元器件

PMGD175XNEX厂商、描述、价格、参数资料

型号
PMGD175XNEX
数量
27800
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 30V SC-881
价格(3000)
¥0.7606
系列
*
零件状态
*
标准包装
3,000
其它名称
PMGD175XNEX相关电子产品资料
型号
PMGD175XNEX
数量
27800
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 30V SC-881
系列
*
零件状态
*
标准包装
3,000
其它名称
型号
PMGD175XNEX
数量
27800
厂商
NXP USA Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 30V SC-881
系列
*
零件状态
在售
标准包装
3,000
其它名称
型号
PMGD280UN,115
数量
1979
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
系列
TrenchMOS™
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
870mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
340 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
45pF @ 20V
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
1
其它名称
型号
PMGD280UN,115
数量
27800
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
系列
TrenchMOS™
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
870mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
340 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
45pF @ 20V
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
3,000
其它名称
型号
PMGD280UN,115
数量
1979
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
系列
TrenchMOS™
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
870mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
340 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
45pF @ 20V
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
1
其它名称
型号
PMGD290UCEAX
数量
4614
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
725mA，500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
83pF @ 10V
功率 - 最大值
280mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
1
其它名称
型号
PMGD290UCEAX
数量
3000
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
725mA，500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
83pF @ 10V
功率 - 最大值
280mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
3,000
其它名称
型号
PMGD290UCEAX
数量
4614
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
725mA，500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
83pF @ 10V
功率 - 最大值
280mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
1
其它名称
型号
PMGD290XN,115
数量
49671
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
系列
TrenchMOS™
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
860mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
350 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.72nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
34pF @ 20V
功率 - 最大值
410mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
1
其它名称
型号
PMGD290XN,115
数量
48000
厂商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
系列
TrenchMOS™
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
860mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
350 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.72nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
34pF @ 20V
功率 - 最大值
410mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
标准包装
3,000
其它名称
电子产品资料
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