EPC2102ENG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2102ENG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2102ENG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
350
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

EPC2102ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
96
EPC
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
托盘
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
10

EPC2102ENG 技术参数

EPC2102 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2101ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2101ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2101 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2100ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），40A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N