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参数资料
| 型号： | EC103B |
| 厂商： | Littelfuse, Inc. |
| 英文描述： | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| 中文描述： | （0.8甲至10 A敏感可控硅） |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | EC103B |
Data Sheets
Sensitive SCRs
2002 Teccor Electronics
E5 - 9
http://www.teccor.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
Figure E5.14 Peak Surge On-state Current versus Surge Current Duration
Figure E5.15 Typical Turn-on Time versus Gate Trigger Current
Figure E5.16 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
1
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4
5 6
8 10
20
30 40 50 60 80 100
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80
100
200
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
LOAD: Resistive
RMS ON-STATE CURRENT: [IT(RMS)]: Max
Rated Value at Specified Case Temperature
Surge Current Duration – Full Cycles
Peak
Surge
(Non-repetitive)
On-state
Current
(I
TSM
)–
Amps
Notes:
1) Gate control may be lost during
and immediately following surge
current interval.
2) Overload may not be repeated
until junction temperature has
returned to steady-state rated value.
6 A Devices
8 A Devices
10 A Devices
4 A TO-251 and TO-252
1.5 A Devices
TO-106
and TO-107
0.8 A TO-92
and Compak
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1.0
10
100
IGT = 50
A MAX
IGT = 200
A MAX
IGT = 500
A MAX
TC = 25 C
IGT = 12
A MAX
DC Gate Trigger Current (IGT) – mA
Turn-on
Time
(t
gt
)–
s
01234
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T106 and T107
0.8 A TO-92 and Compak
1.5 A Devices
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
CURRENT WAVEFORM: Half Sine Wave
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 180
4 A TO-251 and TO-252
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EC103B1 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103B2 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103B3 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103D | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103D2 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EC103B1 | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B1AP | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B1RP | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B2 | 功能描述:SCR 200V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B2_ | 功能描述:SCR - Use 576-EC103B2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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