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参数资料
| 型号： | EC103B |
| 厂商： | Littelfuse, Inc. |
| 英文描述： | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| 中文描述： | （0.8甲至10 A敏感可控硅） |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | EC103B |
Sensitive SCRs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E5 - 10
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Figure E5.17 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
Figure E5.18 Normalized DC Latching Current versus Case Temperature
Figure E5.19 Simple Test Circuit for Gate Trigger Voltage and
Current Measurement
Note: V1 — 0 V to 10 V dc meter
VGT — 0 V to 1 V dc meter
IG — 0 mA to 1 mA dc milliammeter
R1 — 1 k potentiometer
To measure gate trigger voltage and current, raise gate voltage
(VGT) until meter reading V1 drops from 6 V to 1 V. Gate trigger
voltage is the reading on VGT just prior to V1 dropping. Gate trig-
ger current IGT can be computed from the relationship
where IG is reading (in amperes) on meter just prior to V1 drop-
ping.
Note: IGT may turn out to be a negative quantity (trigger current
flows out from gate lead).
02468
10
0
2
4
6
8
10
12
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
CURRENT WAVEFORM: Half Sine Wave
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 180
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
6 A to 10 A
TO-220, TO-202,
TO-251, and TO-252
-65
-15
+25
+65
+110 +125
-40
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
Case Temperature (TC) – C
Ratio
of
I L
(
T
C
=
25
C)
See General Notes for specific device
operating temperature range.
V1
6 V
DC
+
–
100
D.U.T.
Reset
Normally-closed
Pushbutton
1 k
(1%)
I
G
V
GT
100
I
GT
R1
IN4001
IGT
IG
VGT
1000
------------- Amps
–
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EC103B1 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103B2 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103B3 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103D | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
| EC103D2 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EC103B1 | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B1AP | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B1RP | 功能描述:SCR 200V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B2 | 功能描述:SCR 200V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| EC103B2_ | 功能描述:SCR - Use 576-EC103B2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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