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参数资料
| 型号： | ECH8649-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8649
Embossed Taping Speci ? cation
ECH8649-TL-H
No. A0854-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8651R-TL-HX | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| ECH8651R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| ECH8652-TL-H | MOSFET P-CH 12V 6A ECH8 |
| ECH8653-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8655R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8651R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8651R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8651R-R-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8651R-R-TL-HX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| ECH8651R-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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