- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8657-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 35V 4.5A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8657-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 35V 4.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8657
IDP=30A (PW ≤ 10 μ s)
0 μ
10
s
1m
ID=4.5A
ms
10
DC 0m
op
3 (Ta
5 ° C
area is limited by RDS(on). =2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm) 1unit
0.1
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=10V
ID=4.5A
1
VGS -- Qg
2 3
4
5
7
5
3
2
10
7
5 s
2
2
0.1
7
5
3
2
0.01
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
ASO
7 e r a t
5 Operation in this ion
3 10
1.0 s
)
2
3
5 7
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14218
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15504
1.5
1.4
1.3
1.2
To
al
nit
1.0
0.8
0.6
1u
t
Di
ss
ip
a i t
on
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15505
No. A1710-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8659-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 |
| ECH8660-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| ECH8661-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
| ECH8662-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 |
| ECH8667-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8659 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8659_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8659-M-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8659-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| ECH8659-TL-HX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。