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参数资料
| 型号： | ED1602 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | ED1602 |
1999 Apr 27
2
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistor
ED1602
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 20 V).
APPLICATIONS
Audio pre-amplifiers and driver stages
FM multiplex stereo decoders
Small-signal circuits in television receivers
Medium speed switching.
DESCRIPTION
PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
NPN complement: ED1402.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
emitter
2
base
3
collector
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage1
3
2
MAM281
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
25
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
20
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
4V
IC
collector current (DC)
100
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
500
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
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