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参数资料
| 型号： | ED1602 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | ED1602 |
1999 Apr 27
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistor
ED1602
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 20 V
15
nA
IE = 0; VCB = 10 V; Tj = 150 °C
20
A
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 4V
100
nA
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5V
ED1602C
125
190
ED1602D
170
260
ED1602E
223
475
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
300
mV
IC = 100 mA; IB = 5mA
650
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5V
500
750
mV
Cc
collector capacitance
IE =ie = 0; VCB = 10V; f = 1 MHz
5pF
fT
transition frequency
IC = 5 mA; VCE = 5V;
f = 100 MHz
100
MHz
F
noise gure
IC = 0.2 mA; VCE = 5V;
RS =2k; f = 1 kHz; B = 200 Hz
4dB
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