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参数资料
| 型号： | EDI88128CS |
| 英文描述： | 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS，128Kx8单片静态RAM) |
| 中文描述： | 128Kx8单片的SRAM（的CMOS 128Kx8单片静态内存） |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | EDI88128CS |
4
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 ww.whiteedc.com
EDI88128CS
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (12 to 20ns)
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = -55
°C to +125°C)
Symbol
15ns*
17ns
20ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
tAVAV
tWC
15
17
20
ns
Chip Enable to End of Write
tELWH
tCW
12
13
15
ns
tELEH
tCW
12
13
15
ns
Address Setup Time
tAVWL
tAS
00
0
ns
tAVEL
tAS
00
0
ns
Address Valid to End of Write
tAVWH
tAW
12
13
15
ns
tAVEH
tAW
12
13
15
ns
Write Pulse Width
tWLWH
tWP
12
13
15
ns
tWLEH
tWP
12
13
15
ns
Write Recovery Time
tWHAX
tWR
00
0
ns
tEHAX
tWR
00
0
ns
Data Hold Time
tWHDX
tDH
00
0
ns
tEHDX
tDH
00
0
ns
Write to Output in High Z (1)
tWLQZ
tWHZ
08
0
10
ns
Data to Write Time
tDVWH
tDW
77
10
ns
tDVEH
tDW
77
10
ns
Output Active from End of Write (1)
tWHQX
tWLZ
33
3
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (25 to 55ns)
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = -55
°C to +125°C)
Symbol
25ns
35ns
45ns
55ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
tAVAV
tWC
25
35
45
55
ns
Chip Enable to End of Write
tELWH
tCW
20
25
35
45
ns
tELEH
tCW
20
25
35
45
ns
Address Setup Time
tAVWL
tAS
00
ns
tAVEL
tAS
00
ns
Address Valid to End of Write
tAVWH
tAW
20
25
35
45
ns
tAVEH
tAW
20
25
35
45
ns
Write Pulse Width
tWLWH
tWP
20
30
35
ns
tWLEH
tWP
20
30
35
ns
Write Recovery Time
tWHAX
tWR
00
55
ns
tEHAX
tWR
00
55
ns
Data Hold Time
tWHDX
tDH
00
ns
tEHDX
tDH
00
ns
Write to Output in High Z (1)
tWLQZ
tWHZ
010013
015020
ns
Data to Write Time
tDVWH
tDW
15
20
25
ns
tDVEH
tDW
15
20
25
ns
Output Active from End of Write (1)
tWHQX
tWLZ
33
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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