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参数资料
| 型号： | EDI88128CS |
| 英文描述： | 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS，128Kx8单片静态RAM) |
| 中文描述： | 128Kx8单片的SRAM（的CMOS 128Kx8单片静态内存） |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | EDI88128CS |
6
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 ww.whiteedc.com
EDI88128CS
Characteristic
Sym
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Low Power Version only
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 2.0V
2
–
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
CS
≥ VDD -0.2V
–
0.5
2
mA
Chip Disable to Data Retention Time (1)
TCDR
VIN
≥ VDD -0.2V
0
–
ns
Operation Recovery Time (1)
TR
or VIN
≤ 0.2V
TAVAV*–
–
ns
NOTE:
1. Parameter guaranteed by design, but not tested.
* Read Cycle Time
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI88128LPA ONLY)
(TA = -55
°C to +125°C)
WS32K32-XHX
FIG. 5
DATA RETENTION - CS CONTROLLED
DATA RETENTION, CS CONTROLLED
Data Retention Mode
tR
Vcc
CS
tCDR
CS = VDD -0.2V
VDD
4.5V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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