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参数资料
| 型号： | EDI8C32512CA |
| 英文描述： | 512Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，128Kx32静态RAM模块（存取时间15，17，20，25，35，45，55ns）) |
| 中文描述： | 512Kx32 SRAM的模块（低功耗的CMOS，128Kx32静态内存模块（存取时间15,17,20,25,35,45,55纳秒）） |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | EDI8C32512CA |
5
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
WS512K32-XXX /
EDI8C32512CA
WS32K32-XHX
FIG. 5
TIMING WAVEFORM - READ CYCLE
FIG. 7
WRITE CYCLE - CS CONTROLLED
FIG. 6
WRITE CYCLE - WE CONTROLLED
ADDRESS
DATA I/O
WRITE CYCLE 2, CS CONTROLLED
tAW
tAS
tCW
tAH
tWP
tDH
tDW
tWC
CS
WE
DATA VALID
ADDRESS
DATA I/O
READ CYCLE 2 (WE = VIH)
tAA
tACS
tOE
tCLZ
tOLZ
tOHZ
tRC
DATA VALID
HIGH IMPEDANCE
CS
OE
tCHZ
ADDRESS
DATA I/O
READ CYCLE 1 (CS = OE = VIL, WE = VIH)
tAA
tOH
tRC
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
ADDRESS
DATA I/O
WRITE CYCLE 1, WE CONTROLLED
tAW
tCW
tAH
tWP
tDW
tWHZ
tAS
tOW
tDH
tWC
DATA VALID
CS
WE
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