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参数资料
| 型号： | EDI8F24128C |
| 英文描述： | 128Kx24 Static RAM CMOS, High Speed Module(128Kx24高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 128Kx24的CMOS静态RAM，高速模块（128Kx24高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | EDI8F24128C |
EDI8F24128C
128Kx24 SRAM Module
3
EDI8F24128C Rev. 5.0 4/96 ECO #7470
AC Characteristics Read Cycle
Symbol
20ns
25ns
35ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
TAVAV
TRC
20
25
35
ns
Address Access Time
TAVQV
TAA
20
25
35
ns
Chip Enable Access
TELQV
TACS
20
25
35
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1)
TELQX
TCLZ
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
TEHQZ
TCHZ
10
12
15
ns
Output Hold from Address Change
TAVQX
TOH
3
ns
Output Enable to Output Valid
TGLQV
TOE
13
15
20
ns
Output Enable to Output in Low Z (1)
TGLQX
TOLZ
0
ns
Output Disable to Output in High Z(1)
TGHQZ
TOHZ
8
10
12
ns
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
TGHQZ
TELQV
TELQX
E
G
Q
TEHQZ
A
TAVAV
TGLQV
TGLQX
TAVQV
Read Cycle 2 - W High
Read Cycle 1 - W High, G, E Low
TAVAV
TAVQV
TAVQX
DATA 2
A
Q
ADDRESS 1
ADDRESS 2
DATA 1
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参数描述 |
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