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参数资料
| 型号： | EDI8F24128C |
| 英文描述： | 128Kx24 Static RAM CMOS, High Speed Module(128Kx24高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 128Kx24的CMOS静态RAM，高速模块（128Kx24高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | EDI8F24128C |
4
EDI8F24128C Rev. 5.0 4/96 ECO #7470
EDI8F24128C
128Kx24 SRAM Module
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
Symbol
20ns
25ns
35ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
20
25
35
ns
Chip Enable to
TELWH
TCW
15
20
30
ns
End of Write
TWLEH
TCW
15
20
30
ns
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0
ns
TAVEL
TAS
0
ns
Address Valid to
TAVWH
TAW
15
20
30
ns
End of Write
TAVEH
TAW
15
20
30
ns
Write Pulse Width
TWLW H TWP
15
20
25
ns
TELEH
TWP
15
20
25
ns
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0
ns
TEHAX
TWR
0
ns
Data Hold Time
TWHDX
TDH
3
ns
TEHDX
TDH
3
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ
TWHZ
0
10
0
12
0
15
ns
Data to Write Time
TDVWH
TDW
12
15
20
ns
TDVEH
TDW
12
15
20
ns
Output Active from End of Write(1)
TWHQX
TWLZ
3
ns
Write Cycle 1 - W Controlled
A
W
E
D
Q
TAVAV
TAVEL
TEHAX
TDVEH
TEHDX
TELEH
TAVEH
DATA VALID
HIGH Z
TWLEH
AC Characteristics Write Cycle
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PDF描述 |
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参数描述 |
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