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参数资料
| 型号： | EDI8F2464C |
| 英文描述： | 64Kx24 Static RAM CMOS, High Speed Module(64Kx24高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 64Kx24的CMOS静态RAM，高速模块（64Kx24高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | EDI8F2464C |
EDI8F2464C
64Kx24 SRAM Module
3
EDI8F2464C Rev. 8.0 4/96 ECO #7470
AC Characteristics Read Cycle
Symbol
15ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
TAVAV
TRC
15
20
25
ns
Address Access Time
TAVQV
TAA
15
20
25
ns
Chip Enable
Access Time
TELQV
TACS
15
20
25
ns
Chip Enable to
Output in Low Z (1)
TELQX
TCLZ
3
ns
Chip Disable to
Output in High Z (1)
TEHQZ
TCHZ
0
10
0
12
0
13
ns
Output Hold from
Address Change
TAVQX
TOH
3
ns
Output Enable to
Output Valid
TGLQV
TOE
10
12
15
ns
Output Enable to
Output in Low Z (1)
TGLQX
TOLZ
0
ns
Output Disable to
Output in High Z(1)
TGHQZ
TOHZ
0
10
0
12
0
13
ns
TAVAV
TAVQV
TAVQX
DATA 2
A
Q
ADDRESS 1
ADDRESS 2
DATA 1
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
TGHQZ
TELQV
TELQX
E
G
Q
TEHQZ
A
TAVAV
TGLQV
TGLQX
TAVQV
Read Cycle - 2 W High
Read Cycle 1 - W High, G, E Low
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PDF描述 |
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